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XBDL9系列：单晶圆集成MOS的单节锂电保护IC -TWS/OWS应用

  • 业内最小过流值75mA，具备全电压全温度高过流精度，更贴近产品的实际应用电流

  • 低功耗-静态功耗0.9uA，休眠电流1nA

  • 高可靠性-高耐压，支持充电器反接和电芯带负载防反接功能

  • IC集成船运功能，温度保护功能

  • DFN0.95*1.3封装，支持4.2~4.6V电芯平台