GD55T01GE

性能参数

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    Flash类型

    SPI NOR (Auto)

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    状态

    MP

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    电压

    2.7V~3.6V

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    容量

    1Gb

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    温度

    -40℃~105℃, -40℃~125℃

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    I/O总线

    Single I/O, Quad I/O, QPI, DTR

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    频率(MHz)

    166(x1 x4), 200(x4 DTR)

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    主要特性

    ECC, DTR, Default 4I/O, H/W RESET, WP#, Security Registers with OTP Locks, Suspend, Unique ID

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    封装

    SOP16 300mil, WSON8 8x6mm, TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)